EM TIC 3X 구성 가능한 이온 빔 밀링 시스템
정밀한 표면 전처리. 간소화된 설계.
FAQs EM TIC 3X
이온 빔 밀링은 고에너지 아르곤 이온을 사용해서 시료 표면의 물질을 제거하는 시편 준비 기술입니다. EM TIC 3X는 세 개의 광면적 이온 빔 시스템을 사용하여 SEM, EBSD, 기타 현미경 기술을 위한 고품질 표면을 만듭니다.
EM TIC 3X는 고해상도 SEM 이미징에 필수적인 아티팩트 없는 표면을 제공합니다. 삼중 이온 빔 설계로 균일한 밀링과 샘플 손상을 최소화하여 재료 과학과 고장 분석에 이상적입니다.
이 시스템은 금속, 세라믹, 폴리머, 복합 재료, 생물학적 샘플을 포함한 다양한 재료에 적합합니다. 딱딱한 재료와 부드러운 재료를 모두 높은 정밀도로 처리합니다.
세 개의 빔 구성으로 세 각도에서 동시에 밀링할 수 있어서 재증착과 줄무늬가 줄어들고 표면 평탄도가 향상됩니다. 그 결과 우수한 이미징 품질과 더욱 정확한 분석 결과를 얻을 수 있습니다.
예, 이 시스템은 극저온과 진공 이송 단계를 지원하므로, 공기에 노출되거나 온도와 관련된 구조적 변화 없이 온도 또는 공기에 민감한 샘플을 준비할 수 있습니다.
최대 25 x 20 x 5 mm(두께)의 시료를 처리할 수 있어서 다양한 연구와 산업 분야에서 활용도가 높습니다.
예, 기계적 전처리를 위해 EM TXP와 원활하게 통합되어 절단과 연마부터 최종 이온 밀링까지 완벽한 워크플로우를 제공합니다. 또한 EM VCT500 이송 시스템과 EM ACE600 코터와 호환되어 표면 전처리를 위한 완전하고 간소화된 워크플로우를 제공합니다.
이온 빔 밀링은 아티팩트가 적고 더 깨끗하고 균일한 표면을 제공합니다. 특히 기계적인 방법으로 손상이 발생할 수 있는 섬세하거나 복합적인 소재에 유용합니다.
이온 밀링은, 일반적으로 아르곤과 같은, 집중된 이온 빔을 사용하여 시료 표면에서 물질을 제거하는 데 사용되는 물리적 에칭 프로세스입니다. 주로 전자 현미경에서 고해상도 이미징과 분석을 위해 매우 매끄럽고 아티팩트 없는 표면 또는 단면을 준비하기 위해 사용됩니다.
장점:
- 깨끗하고 손상 없는 표면 만듦
- 단단한 재료, 부드러운 재료, 복합 재료에 적합
- 기계적 방법(예: EM TXP)으로 만들어진 단면을 매끄럽게 연마하는 데 이상적
- 비접촉 방식으로 기계적 스트레스 감소
한계:
- 대량 제거를 위한 기계적 방법보다 느린 속도
- 장비가 비용이 많이 들고 진공 시스템이 필요할 수 있음
- 대규모 물질 제거에는 적합하지 않음
이온 빔 밀링은 진공 상태에서 시료 표면으로 이온(보통 아르곤)을 가속하는 방식으로 작동합니다. 이온의 운동 에너지가 표면의 원자를 물리적으로 제거하여 정밀하게 조절된 재료 제거를 가능하게 합니다. 이 프로세스는 방향성이 높고 정밀하기 때문에 미세 구조 분석에 이상적입니다.
