Procesamiento de obleas semiconductoras, encapsulado IC, montaje IC y pruebas IC
Las soluciones de imagen modulares y personalizadas de Leica Microsystems ayudan a los proveedores y fabricantes de dispositivos a realizar inspecciones y análisis rápidos y precisos para el procesamiento de obleas, encapsulado IC, montaje IC y pruebas. La prueba de conformidad con las especificaciones definidas durante la fabricación de dispositivos semiconductores es fundamental para la fiabilidad. Para demostrar los niveles esperados de limpieza y la presencia mínima de defectos para producir dispositivos semiconductores de excelente calidad, es indispensable disponer de una documentación precisa. Sin embargo, la demanda de desarrollo de una tecnología de vanguardia y de mayor rendimiento es constante, por lo que se espera que estos sistemas de diagnóstico por imagen contribuyan también al I + D.
Póngase en contacto con nosotros para obtener asesoramiento especializado sobre nuestras soluciones de microscopía para el procesamiento de obleas semiconductoras y el encapsulamiento IC.
Vea los detalles hasta la nanoescala rápidamente, imágenes de alta resolución
Nuestros sistemas de captura de imagen pueden ofrecer una inspección de superficies y un análisis de obleas precisos y rápidos para ayudarle a garantizar un rendimiento óptimo para sus dispositivos semiconductores fabricados. Sin embargo, puede haber desafíos críticos al realizar la metrología de superficies: Las superficies de las obleas pueden tener estructuras intrincadas con pendientes altas que requieren una resolución lateral excelente o picos y valles que exijan una resolución vertical por debajo del nanómetro. Los sistemas de imagen Leica que utilizan la microscopía confocal y la microscopía interferométrica le ofrecen una alta resolución lateral (desde 140 nm) y vertical (desde 0,1 nm) con una rápida adquisición de imágenes (segundos).
Para superficies de obleas muy lisas, la obtención de imágenes interferométricas permite adquirir texturas de superficie con una resolución de hasta 0,1 nm. El escaneo completo tardó menos de 3 segundos.
Métodos de contraste: Imágenes de parte de una oblea: a) vista general rápida de la superficie seguida de la detección de b) partículas con campo claro, c) microarañazos con campo oscuro y d) defectos en películas transparentes con contraste diferencial de interferencia (DIC). La generación de imágenes con cada modo de iluminación se completa en segundos.
Vea más con menos esfuerzo, diversos métodos de contraste y ópticas de primera categoría
Óptica de alto rendimiento
Los elementos ópticos de alta calidad pueden hacer que la inspección de sus obleas y semiconductores sea más eficiente, ya que verá los detalles más finos con menos esfuerzo. Los sistemas de imágenes de Leica Microsystems utilizan ópticas galardonadas de alto rendimiento que producen imágenes sin distorsiones. La óptica puede sufrir dos tipos de aberración que requieren corrección:
- monocromático (independiente de la longitud de onda de la luz [color]), como el astigmatismo, la coma y la curvatura del campo
- cromático (en función de la longitud de onda de la luz).
Nuestros ingenieros y diseñadores ópticos proporcionan elementos ópticos que le permiten inspeccionar obleas y dispositivos con un contraste y una resolución óptimos.
