Traitement des wafers, emballage, assemblage IC et tests des circuits intégrés

Pour les surfaces très lisses des wafers, l'imagerie en interférométrie peut acquérir des textures de surface avec une résolution jusqu'à 0,1 nm. La totalité du balayage a duré moins de 3 secondes.

Méthodes de contraste : Images d'une partie d'un wafer : a) aperçu rapide de la surface suivi de la détection b) de particules en fond clair, c) de micro-rayures en fond noir et d) de défauts sur des films transparents avec le contraste interférentiel différentiel (DIC). L'imagerie avec chaque mode d'éclairage est réalisée en quelques secondes.

Nos systèmes d'imagerie vous permettent de visualiser plus facilement les éléments difficilement visibles des wafers afin d'obtenir une inspection et un contrôle qualité plus efficaces et plus précis. La qualité de l'image en termes de contraste et de niveau de détail dépend fortement de l'éclairage et de l'optique utilisés. Il est donc impératif de choisir la méthode de contraste de l'éclairage appropriée et d'utiliser des optiques hautes performances avec une correction maximale. Une méthode de contraste de l'éclairage spécifique permet d'améliorer l'observation des différentes caractéristiques du wafer , telles que les revêtements, la contamination, les rayures et les défauts.

Optique haute performance

Une optique de grande qualité peut améliorer efficacement l'inspection de vos wafers et de vos dispositifs à semi-conducteurs : les détails fins seront plus facilement visibles avec moins d'efforts. Les systèmes d'imagerie Leica Microsystems utilisent des optiques hautes performances et primées qui produisent des images sans distorsion. L'optique peut être soumise à deux types d'aberration nécessitant une correction :

• monochromatique (indépendante de la longueur d'onde de la lumière [couleur]), comme l'astigmatisme, le coma et la courbure du champ
• chromatique (en fonction de la longueur d'onde de la lumière).

Nos concepteurs et ingénieurs optiques conçoivent des composants optiques qui vous permettent d'inspecter les wafers et les dispositifs avec un contraste et une résolution de qualité optimale.